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科技專著《寬禁帶半導體前沿叢書》出版發行


【資料圖】

國內首套展示第三代半導體研究成果的系列科技專著——《寬禁帶半導體前沿叢書》,近日由西安電子科技大學出版社正式出版發行。

該叢書瞄準世界科技前沿和產業熱點,反映我國寬禁帶半導體研究領域核心科技創新,以服務國家重大戰略和學科發展需求為宗旨,致力于梳理寬禁帶半導體基礎前沿與核心科學技術問題,從半導體材料的表征、機制、應用和器件的制備等多個方面,介紹寬禁帶半導體領域的前沿理論、核心技術及最新研究進展,具有科學性、創新性和前瞻性,市場需求迫切,填補了寬禁帶半導體領域系列科技圖書出版的市場空白。

據悉,該叢書由12部專著組成,包括《氮化鎵基半導體異質結構及二維電子氣》《氮化物半導體準范德華外延及應用》《氮化鎵單晶材料生長與應用》《氮化鋁單晶材料生長與應用》《氮化物半導體太赫茲器件》《氧化鎵半導體器件》《寬禁帶半導體紫外光電探測器》《寬禁帶半導體核輻射探測器》《寬禁帶半導體氧化鎵——結構、制備與性能》《金剛石半導體器件前沿技術》《寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征》《氮化鎵微波功率器件》等著作。另外,為了生動反映彩色插圖的原貌,這套系列叢書采用了黑白插圖加二維碼彩圖的方式,將全書的圖文質量生動展現給讀者。

叢書編委會由中國科學院郝躍院士、鄭有炓院士、劉明院士、江風益院士等多名科學家領銜,集中了北京大學、南京大學、中國科技大學等10余所高校、研究所的近40位中青年微電子專家組成。

(西安電子科技大學宣傳部供圖)

關鍵詞: 半導體器件 西安電子科技大學 核輻射探測器 研究領域

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