oled是什么意思?什么叫OLED
oled是什么意思?什么叫OLED
OLED(Organic light emitting diode)是繼TFT-LCD(Thin film transistor liquid crystal display),新一代之平面顯示器技術(shù)。其具備有構(gòu)造簡單、自發(fā)光不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。1987年,美國Kodak公司鄧青云(C.W. Tang)博士等人,將OLED組件及基本之材料確立[1]。1996年,日本Pioneer公司成為第一家將此技術(shù)量產(chǎn)化之公司,并將OLED面板搭配於其所生產(chǎn)之車用音響顯示器。近年來,由於其前景看好,日本、美國、歐洲、臺灣及韓國之研發(fā)團(tuán)隊(duì)如雨後春筍般相繼成立,導(dǎo)致了有機(jī)發(fā)光材料日益成熟,設(shè)備廠商蓬勃發(fā)展,以及相繼工藝技術(shù)不斷之演進(jìn)。然而,OLED技術(shù)于原理及工藝上,與目前發(fā)展成熟之半導(dǎo)體、LCD、CD-R甚或LED產(chǎn)業(yè)雖有相關(guān),但卻有其獨(dú)特know-how之處;因此,OLED量產(chǎn)化仍有許多瓶頸。臺灣錸寶科技公司系由1997年開始研發(fā)OLED之相關(guān)技術(shù),于2000年成功量產(chǎn)OLED面板,成為繼日本東北先鋒後,全世界第二家量產(chǎn)OLED之面板公司;而2002年,更陸續(xù)外銷出貨單彩(mono-color)及區(qū)域多彩(area-color)面板如圖一所示,并提升良率及產(chǎn)量,一躍而成為世界上產(chǎn)量最大OLED面板供應(yīng)商。
[圖一:錸寶之區(qū)域多彩及單彩OLED面板]
由於OLED工藝中,有機(jī)膜層之厚度將影響元件特性甚鉅,一般而言,膜厚誤差必須小於5納米,為名符其實(shí)之納米科技。舉例來說,TFT-LCD平面顯示器之第三代基板尺寸,一般定義為550mm x 650mm,在此尺寸之基板上,欲控制如此精準(zhǔn)之膜厚,有其困難性,也因此限制了OLED在大面積基板之工藝,和大面積面板之應(yīng)用。目前而言,OLED之應(yīng)用主要為較小之單色(mono-color)及區(qū)域多彩(area-color)顯示器面板,如:手機(jī)主螢?zāi)?、手機(jī)副螢?zāi)?、游戲機(jī)顯示器、車用音響螢?zāi)患皞€(gè)人數(shù)位助理(PDA)顯示器。由於OLED全彩化之量產(chǎn)工藝尚未臻至成熟,小尺寸之全彩OLED產(chǎn)品預(yù)計(jì)於2002年下半年以後才會陸續(xù)上市。由於OLED為自發(fā)光顯示器,相較於同等級之全彩LCD顯示器,其視覺表現(xiàn)極為優(yōu)異,有機(jī)會直接切入全彩小尺寸高檔產(chǎn)品,如:數(shù)碼相機(jī)和掌上型VCD(或DVD)播放器,至於大型面板(13寸以上)方面,雖有研發(fā)團(tuán)隊(duì)展示樣品,但量產(chǎn)技術(shù)仍尚待開發(fā)。 OLED 因發(fā)光材料的不同,一般可分小分子(通常稱OLED)及高分子(通常稱PLED)兩種,技術(shù)的授權(quán)分別為美國的Eastman Kodak(柯達(dá))和英國的CDT(Cambridge Display Technology),臺灣錸寶科技公司是少數(shù)同時(shí)發(fā)展OLED和PLED的公司。在本文中,主要介紹小分子OLED,首先將會介紹OLED原理,其次介紹相關(guān)關(guān)鍵工藝,最後會介紹目前OLED技術(shù)發(fā)展之方向。
OLED之原理OLED組件系由n型有機(jī)材料、p型有機(jī)材料、陰極金屬及陽極金屬所構(gòu)成。電子(空穴)由陰極(陽極)注入,經(jīng)過n型(p型)有機(jī)材料傳導(dǎo)至發(fā)光層(一般為n型材料),經(jīng)由再結(jié)合而放光。一般而言,OLED元件制作的玻璃基板上先濺鍍ITO作為陽極,再以真空熱蒸鍍之方式,依序鍍上p型和n型有機(jī)材料,及低功函數(shù)之金屬陰極。由於有機(jī)材料易與水氣或氧氣作用,產(chǎn)生暗點(diǎn)(Dark spot)而使元件不發(fā)亮。因此此元件於真空鍍膜完畢後,必須於無水氣及氧氣之環(huán)境下進(jìn)行封裝工藝。 在陰極金屬與陽極ITO之間,目前廣為應(yīng)用的元件結(jié)構(gòu)一般而言可分為5層。如圖二所示,從靠近ITO側(cè)依序?yàn)椋嚎昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。就OLED組件演進(jìn)歷史中,1987年Kodak首次發(fā)表之OLED組件,系由兩層有機(jī)材料所構(gòu)成,分別為空穴傳輸層及電子傳輸層。其中空穴傳輸層為p型之有機(jī)材料,其特性為具有較高之空穴遷移率,且其最高占據(jù)之分子軌域(Highest occupied molecule orbital,HOMO)與ITO較接近,可使空穴由ITO注入有機(jī)層之能障降低。
[圖二:OLED結(jié)構(gòu)圖]
而至於電子傳輸層,系為n型之有機(jī)材料,其特性為具有較高之電子遷移率,當(dāng)電子由電子傳輸層至空穴電子傳輸層介面時(shí),由於電子傳輸層之最低非占據(jù)分子軌域(Lowest unoccupied molecule orbital,LUMO)較空穴傳輸層之LUMO高出甚多,電子不易跨越此一能障進(jìn)入空穴傳輸層,遂被阻擋於此介面。此時(shí)空穴由空穴傳輸層傳至介面附近與電子再結(jié)合而產(chǎn)生激子(Exciton),而Exciton會以放光及非放光之形式進(jìn)行能量釋放。以一般螢光(Fluorescence)材料系統(tǒng)而言,由選擇率(Selection rule)之計(jì)算僅得25%之電子空穴對系以放光之形式做再結(jié)合,其余75%之能量則以放熱之形式散逸。近年來,正積極被開發(fā)磷光(Phosphorescence)材料成為新一代的OLED材料[2],此類材料可打破選擇率之限制,以提高內(nèi)部量子效率至接近100%。 在兩層元件中,n型有機(jī)材料-即電子傳輸層-亦同時(shí)被當(dāng)作發(fā)光層,其發(fā)光波長系由HOMO及LUMO之能量差所決定。然而,好的電子傳輸層-即電子遷移率高之材料-并不一定為放光效率佳之材料,因此目前一般之做法,系將高螢光度的有機(jī)色料,摻雜(Doped)於電子傳輸層中靠近空穴傳輸層之部分,又稱為發(fā)光層[3],其體積比約為1%至3%。摻雜技術(shù)開發(fā)系用於增強(qiáng)原材料之螢光量子吸收率的重點(diǎn)技術(shù),一般所選擇的材料為螢光量子吸收率高的染料(Dye)。由於有機(jī)染料之發(fā)展源自於1970至1980年代染料雷射,因此材料系統(tǒng)齊全,發(fā)光波長可涵蓋整個(gè)可見光區(qū)。在OLED組件中摻雜之有機(jī)染料,能帶較差,一般而言小於其宿主(Host)之能帶,以利exciton由host至摻雜物(Dopant)之能量轉(zhuǎn)移。然而,由於dopant能帶較小,而在電性上系扮演陷阱(trap)之角色,因此,摻雜層太厚將會使驅(qū)動電壓上升;但若太薄,則能量由host轉(zhuǎn)移至dopant之比例將會變差,因此,此層厚度必須最佳化。 陰極之金屬材料,傳統(tǒng)上系使用低功函數(shù)之金屬材料(或合金),如鎂合金,以利電子由陰極注入至電子傳輸層,此外一種普遍之做法,系導(dǎo)入一層電子注入層,其構(gòu)成為一極薄之低功函數(shù)金屬鹵化物或氧化物,如LiF或Li2O,此可大幅降低陰極與電子傳輸層之能障[4],降低驅(qū)動電壓。 由於空穴傳輸層材料之HOMO值與ITO仍有差距,此外ITO陽極在長時(shí)間操作後,有可能釋放出氧氣,并破壞有機(jī)層產(chǎn)生暗點(diǎn)。故在ITO及空穴傳輸層之間,插入一空穴注入層,其HOMO值恰介於ITO及空穴傳輸層之間,有利於空穴注入OLED元件,且其薄膜之特性可阻隔ITO中之氧氣進(jìn)入OLED元件,以延長元件壽命。
OLED的驅(qū)動方式
OLED的驅(qū)動方式分為主動式驅(qū)動(有源驅(qū)動)和被動式驅(qū)動(無源驅(qū)動)?! ∫?、無源驅(qū)動(PM OLED) 其分為靜態(tài)驅(qū)動電路和動態(tài)驅(qū)動電路?! 、拧§o態(tài)驅(qū)動方式:在靜態(tài)驅(qū)動的有機(jī)發(fā)光顯示器件上,一般各有機(jī)電致發(fā)光像素的陰極是連在一起引出的,各像素的陽極是分立引出的,這就是共陰的連接方式。若要一個(gè)像素發(fā)光只要讓恒流源的電壓與陰極的電壓之差大于像素發(fā)光值的前提下,像素將在恒流源的驅(qū)動下發(fā)光,若要一個(gè)像素不發(fā)光就將它的陽極接在一個(gè)負(fù)電壓上,就可將它反向截止。但是在圖像變化比較多時(shí)可能出現(xiàn)交叉效應(yīng),為了避免我們必須采用交流的形式。靜態(tài)驅(qū)動電路一般用于段式顯示屏的驅(qū)動上?! 、啤討B(tài)驅(qū)動方式:在動態(tài)驅(qū)動的有機(jī)發(fā)光顯示器件上人們把像素的兩個(gè)電極做成了矩陣型結(jié)構(gòu),即水平一組顯示像素的同一性質(zhì)的電極是共用的,縱向一組顯示像素的相同性質(zhì)的另一電極是共用的。如果像素可分為N行和M列,就可有N個(gè)行電極和M個(gè)列電極。行和列分別對應(yīng)發(fā)光像素的兩個(gè)電極。即陰極和陽極。在實(shí)際電路驅(qū)動的過程中,要逐行點(diǎn)亮或者要逐列點(diǎn)亮像素,通常采用逐行掃描的方式,行掃描,列電極為數(shù)據(jù)電極。實(shí)現(xiàn)方式是:循環(huán)地給每行電極施加脈沖,同時(shí)所有列電極給出該行像素的驅(qū)動電流脈沖,從而實(shí)現(xiàn)一行所有像素的顯示。該行不再同一行或同一列的像素就加上反向電壓使其不顯示,以避免“交叉效應(yīng)”,這種掃描是逐行順序進(jìn)行的,掃描所有行所需時(shí)間叫做幀周期?! ≡谝粠忻恳恍械倪x擇時(shí)間是均等的。假設(shè)一幀的掃描行數(shù)為N,掃描一幀的時(shí)間為1,那么一行所占有的選擇時(shí)間為一幀時(shí)間的1/N該值被稱為占空比系數(shù)。在同等電流下,掃描行數(shù)增多將使占空比下降,從而引起有機(jī)電致發(fā)光像素上的電流注入在一幀中的有效下降,降低了顯示質(zhì)量。因此隨著顯示像素的增多,為了保證顯示質(zhì)量,就需要適度地提高驅(qū)動電流或采用雙屏電極機(jī)構(gòu)以提高占空比系數(shù)?! 〕擞捎陔姌O的公用形成交叉效應(yīng)外,有機(jī)電致發(fā)光顯示屏中正負(fù)電荷載流子復(fù)合形成發(fā)光的機(jī)理使任何兩個(gè)發(fā)光像素,只要組成它們結(jié)構(gòu)的任何一種功能膜是直接連接在一起的,那兩個(gè)發(fā)光像素之間就可能有相互串?dāng)_的現(xiàn)象,即一個(gè)像素發(fā)光,另一個(gè)像素也可能發(fā)出微弱的光。這種現(xiàn)象主要是因?yàn)橛袡C(jī)功能薄膜厚度均勻性差,薄膜的橫向絕緣性差造成的。從驅(qū)動的角度,為了減緩這種不利的串?dāng)_,采取反向截至法也是一行之有效的方法?! Щ叶瓤刂频娘@示:顯示器的灰度等級是指黑白圖像由黑色到白色之間的亮度層次?;叶鹊燃壴蕉啵瑘D像從黑到白的層次就越豐富,細(xì)節(jié)也就越清晰?;叶葘τ趫D像顯示和彩色化都是一個(gè)非常重要的指標(biāo)。一般用于有灰度顯示的屏多為點(diǎn)陣顯示屏,其驅(qū)動也多為動態(tài)驅(qū)動,實(shí)現(xiàn)灰度控制的幾種方法有:控制法、空間灰度調(diào)制、時(shí)間灰度調(diào)制。 二、有源驅(qū)動(AM OLED) 有源驅(qū)動的每個(gè)像素配備具有開關(guān)功能的低溫多晶硅薄膜晶體管(LowTemperature Poly-Si Thin Film Transistor, LTP-Si TFT),而且每個(gè)像素配備一個(gè)電荷存儲電容,外圍驅(qū)動電路和顯示陣列整個(gè)系統(tǒng)集成在同一玻璃基板上。與LCD相同的TFT結(jié)構(gòu),無法用于OLED。這是因?yàn)長CD采用電壓驅(qū)動,而OLED卻依賴電流驅(qū)動,其亮度與電流量成正比,因此除了進(jìn)行ON/OFF切換動作的選址TFT之外,還需要能讓足夠電流通過的導(dǎo)通阻抗較低的小型驅(qū)動TFT。 有源驅(qū)動屬于靜態(tài)驅(qū)動方式,具有存儲效應(yīng),可進(jìn)行100%負(fù)載驅(qū)動,這種驅(qū)動不受掃描電極數(shù)的限制,可以對各像素獨(dú)立進(jìn)行選擇性調(diào)節(jié)?! ∮性打?qū)動無占空比問題,驅(qū)動不受掃描電極數(shù)的限制,易于實(shí)現(xiàn)高亮度和高分辨率?! ∮性打?qū)動由于可以對亮度的紅色和藍(lán)色像素獨(dú)立進(jìn)行灰度調(diào)節(jié)驅(qū)動,這更有利于OLED彩色化實(shí)現(xiàn)?! ∮性淳仃嚨尿?qū)動電路藏于顯示屏內(nèi),更易于實(shí)現(xiàn)集成度和小型化。另外由于解決了外圍驅(qū)動電路與屏的連接問題,這在一定程度上提高了成品率和可靠性?! ∪⒅鲃邮脚c被動式兩者比較 被動式 主動式 瞬間高高密度發(fā)光(動態(tài)驅(qū)動/有選擇性) 連續(xù)發(fā)光(穩(wěn)態(tài)驅(qū)動) 面板外附加IC芯片 TFT驅(qū)動電路設(shè)計(jì)/內(nèi)藏薄膜型驅(qū)動IC 線逐步式掃描 線逐步式抹寫數(shù)據(jù) 階調(diào)控制容易 在TFT基板上形成有機(jī)EL畫像素 低成本/高電壓驅(qū)動 低電壓驅(qū)動/低耗電能/高成本 設(shè)計(jì)變更容易、交貨期短(制造簡單) 發(fā)光組件壽命長(制程復(fù)雜) 簡單式矩陣驅(qū)動+OLED LTPS TFT+OLED編輯本段第七節(jié)、OLED的優(yōu)缺點(diǎn) 一、OLED的優(yōu)點(diǎn) 1、厚度可以小于1毫米,僅為LCD屏幕的1/3,并且重量也更輕; 2、固態(tài)機(jī)構(gòu),沒有液體物質(zhì),因此抗震性能更好,不怕摔; 3、幾乎沒有可視角度的問題,即使在很大的視角下觀看,畫面仍然不失真; 4、響應(yīng)時(shí)間是LCD的千分之一,顯示運(yùn)動畫面絕對不會有拖影的現(xiàn)象; 5、低溫特性好,在零下40度時(shí)仍能正常顯示,而LCD則無法做到; 6、制造工藝簡單,成本更低; 7、發(fā)光效率更高,能耗比LCD要低; 8、能夠在不同材質(zhì)的基板上制造,可以做成能彎曲的柔軟顯示器?! 《LED的缺點(diǎn) 1、壽命通常只有5000小時(shí),要低于LCD至少1萬小時(shí)的壽命; 2、不能實(shí)現(xiàn)大尺寸屏幕的量產(chǎn),因此目前只適用于便攜類的數(shù)碼類產(chǎn)品; 3、存在色彩純度不夠的問題,不容易顯示出鮮艷、濃郁的色彩。
OLED相關(guān)關(guān)鍵工藝氧化銦錫(ITO)基板前處理 (1)ITO表面平整度 ITO目前已廣泛應(yīng)用在商業(yè)化的顯示器面板制造,其具有高透射率、低電阻率及高功函數(shù)等優(yōu)點(diǎn)。一般而言,利用射頻濺鍍法(RF sputtering)所制造的ITO,易受工藝控制因素不良而導(dǎo)致表面不平整,進(jìn)而產(chǎn)生表面的尖端物質(zhì)或突起物。另外高溫鍛燒及再結(jié)晶的過程亦會產(chǎn)生表面約10 ~ 30nm的突起層。這些不平整層的細(xì)粒之間所形成的路徑會提供空穴直接射向陰極的機(jī)會,而這些錯(cuò)綜復(fù)雜的路徑會使漏電流增加。一般有三個(gè)方法可以解決這表面層的影響︰一是增加空穴注入層及空穴傳輸層的厚度以降低漏電流,此方法多用於PLED及空穴層較厚的OLED(~200nm)。二是將ITO玻璃再處理,使表面光滑。三是使用其他鍍膜方法使表面平整度更好(如圖三所示)。
[圖三:ITO表面之原子力顯微鏡照片]
(2) ITO功函數(shù)的增加 當(dāng)空穴由ITO注入HIL時(shí),過大的位能差會產(chǎn)生蕭基能障,使得空穴不易注入,因此如何降低ITO / HIL介面的位能差則成為ITO前處理的重點(diǎn)。一般我們使用O2-Plasma方式增加ITO中氧原子的飽和度,以達(dá)到增加功函數(shù)之目的。ITO經(jīng)O2-Plasma處理後功函數(shù)可由原先之4.8eV提升至5.2eV,與HIL的功函數(shù)已非常接近。
加入輔助電極 由於OLED為電流驅(qū)動元件,當(dāng)外部線路過長或過細(xì)時(shí),於外部電路將會造成嚴(yán)重之電壓梯度(voltage drop),使真正落於OLED元件之電壓下降,導(dǎo)致面板發(fā)光強(qiáng)度減少。由於ITO電阻過大(10 ohm / square),易造成不必要之外部功率消耗,增加一輔助電極以降低電壓梯度成了增加發(fā)光效率、減少驅(qū)動電壓的快捷方式。鉻(Cr:Chromium)金屬是最常被用作輔助電極的材料,它具有對環(huán)境因數(shù)穩(wěn)定性佳及對蝕刻液有較大的選擇性等優(yōu)點(diǎn)。然而它的電阻值在膜層為100nm時(shí)為2 ohm / square,在某些應(yīng)用時(shí)仍屬過大,因此在相同厚度時(shí)擁有較低電阻值的鋁(Al:Aluminum)金屬(0.2 ohm / square)則成為輔助電極另一較佳選擇。但是,鋁金屬的高活性也使其有信賴性方面之問題;因此,多疊層之輔助金屬則被提出,如:Cr / Al / Cr或Mo / Al / Mo,然而此類工藝增加復(fù)雜度及成本,故輔助電極材料的選擇成為OLED工藝中的重點(diǎn)之一。
陰極工藝 在高解析的OLED面板中,將細(xì)微的陰極與陰極之間隔離,一般所用的方法為蘑菇構(gòu)型法(Mushroom structure approach),此工藝類似印刷技術(shù)的負(fù)光阻顯影技術(shù)。在負(fù)光阻顯影過程中,許多工藝上的變異因數(shù)會影響陰極的品質(zhì)及良率。例如,體電阻、介電常數(shù)、高解析度、高Tg、低臨界維度(CD)的損失以及與ITO或其他有機(jī)層適當(dāng)?shù)酿ぶ槊娴取?/FONT>
封裝 (1)吸水材料 一般OLED的生命周期易受周圍水氣與氧氣所影響而降低。水氣來源主要分為兩種:一是經(jīng)由外在環(huán)境滲透進(jìn)入元件內(nèi),另一種是在OLED工藝中被每一層物質(zhì)所吸收的水氣。為了減少水氣進(jìn)入元件或排除由工藝中所吸附的水氣,一般最常使用的物質(zhì)為吸水材(Desiccant)。Desiccant可以利用化學(xué)吸附或物理吸附的方式捕捉自由移動的水分子,以達(dá)到去除元件內(nèi)水氣的目的。 (2)工藝及設(shè)備開發(fā) 封裝工藝之流程如圖四所示,為了將Desiccant置於蓋板及順利將蓋板與基板黏合,需在真空環(huán)境或?qū)⑶惑w充入不活潑氣體下進(jìn)行,例如氮?dú)狻V档米⒁獾氖?,如何讓蓋板與基板這兩部分工藝銜接更有效率、減少封裝工藝成本以及減少封裝時(shí)間以達(dá)最佳量產(chǎn)速率,已儼然成為封裝工藝及設(shè)備技術(shù)發(fā)展的3大主要目標(biāo)。
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