OLED的結(jié)構(gòu)原理及優(yōu)缺點(diǎn)
第一節(jié)、概述
本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/272998.htmOLED,即有機(jī)發(fā)光二極管(OrganicLight-EmittingDiode),又稱為有機(jī)電激光顯示(OrganicElectroluminesenceDisplay,OELD)。因?yàn)榫邆漭p薄、省電等特性,因此從2003年開始,這種顯示設(shè)備在MP3播放器上得到了廣泛應(yīng)用,而對(duì)于同屬數(shù)碼類產(chǎn)品的DC與手機(jī),此前只是在一些展會(huì)上展示過采用OLED屏幕的工程樣品,還并未走入實(shí)際應(yīng)用的階段。但OLED屏幕卻具備了許多LCD不可比擬的優(yōu)勢(shì),因此它也一直被業(yè)內(nèi)人士所看好。
OLED顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的LCD顯示方式不同,無需背光燈,采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板,當(dāng)有電流通過時(shí),這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。而且OLED顯示屏幕可以做得更輕更薄,可視角度更大,并且能夠顯著節(jié)省電能。
目前在OLED的二大技術(shù)體系中,低分子OLED技術(shù)為日本掌握,而高分子的PLEDLG手機(jī)的所謂OEL就是這個(gè)體系,技術(shù)及專利則由英國(guó)的科技公司CDT掌握,兩者相比PLED產(chǎn)品的彩色化上仍有困難。而低分子OLED則較易彩色化,不久前三星就發(fā)布了65530色的手機(jī)用OLED。
不過,雖然將來技術(shù)更優(yōu)秀的OLED會(huì)取代TFT等LCD,但有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)還存在使用壽命短、屏幕大型化難等缺陷。目前采用OLED的主要是三星如新上市的SCH-X339就采用了256色的OLED,至于OEL則主要被LG采用在其CU81808280上我們都有見到。
為了形像說明OLED構(gòu)造,可以將每個(gè)OLED單元比做一塊漢堡包,發(fā)光材料就是夾在中間的蔬菜。每個(gè)OLED的顯示單元都能受控制地產(chǎn)生三種不同顏色的光。OLED與LCD一樣,也有主動(dòng)式和被動(dòng)式之分。被動(dòng)方式下由行列地址選中的單元被點(diǎn)亮。主動(dòng)方式下,OLED單元后有一個(gè)薄膜晶體管(TFT),發(fā)光單元在TFT驅(qū)動(dòng)下點(diǎn)亮。主動(dòng)式的OLED比較省電,但被動(dòng)式的OLED顯示性能更佳。
第二節(jié)、OLED的結(jié)構(gòu)、原理
OLED的基本結(jié)構(gòu)是由一薄而透明具半導(dǎo)體特性之銦錫氧化物(ITO),與電力之正極相連,再加上另一個(gè)金屬陰極,包成如三明治的結(jié)構(gòu)。整個(gè)結(jié)構(gòu)層中包括了:電洞傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EL)與電子傳輸層(ETL)。當(dāng)電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時(shí),正極電洞與陰極電荷就會(huì)在發(fā)光層中結(jié)合,產(chǎn)生光亮,依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)RGB三原色,構(gòu)成基本色彩。OLED的特性是自己發(fā)光,不像TFTLCD需要背光,因此可視度和亮度均高,其次是電壓需求低且省電效率高,加上反應(yīng)快、重量輕、厚度薄,構(gòu)造簡(jiǎn)單,成本低等,被視為21世紀(jì)最具前途的產(chǎn)品之一。
有機(jī)發(fā)光二極體的發(fā)光原理和無機(jī)發(fā)光二極體相似。當(dāng)元件受到直流電(DirectCurrent;DC)所衍生的順向偏壓時(shí),外加之電壓能量將驅(qū)動(dòng)電子(Electron)與電洞(Hole)分別由陰極與陽(yáng)極注入元件,當(dāng)兩者在傳導(dǎo)中相遇、結(jié)合,即形成所謂的電子-電洞復(fù)合(Electron-HoleCapture)。而當(dāng)化學(xué)分子受到外來能量激發(fā)後,若電子自旋(ElectronSpin)和基態(tài)電子成對(duì),則為單重態(tài)(Singlet),其所釋放的光為所謂的螢光(Fluorescence);反之,若激發(fā)態(tài)電子和基態(tài)電子自旋不成對(duì)且平行,則稱為三重態(tài)(Triplet),其所釋放的光為所謂的磷光(Phosphorescence)。
當(dāng)電子的狀態(tài)位置由激態(tài)高能階回到穩(wěn)態(tài)低能階時(shí),其能量將分別以光子(LightEmission)或熱能(HeatDissipation)的方式放出,其中光子的部分可被利用當(dāng)作顯示功能;然有機(jī)螢光材料在室溫下并無法觀測(cè)到三重態(tài)的磷光,故PM-OLED元件發(fā)光效率之理論極限值僅25%。
PM-OLED發(fā)光原理是利用材料能階差,將釋放出來的能量轉(zhuǎn)換成光子,所以我們可以選擇適當(dāng)?shù)牟牧袭?dāng)作發(fā)光層或是在發(fā)光層中摻雜染料以得到我們所需要的發(fā)光顏色。此外,一般電子與電洞的結(jié)合反應(yīng)均在數(shù)十奈秒(ns)內(nèi),故PM-OLED的應(yīng)答速度非常快。
P.S.:PM-OLEM的典型結(jié)構(gòu)。典型的PM-OLED由玻璃基板、ITO(indiumtinoxide;銦錫氧化物)陽(yáng)極(Anode)、有機(jī)發(fā)光層(EmittingMaterialLayer)與陰極(Cathode)等所組成,其中,薄而透明的ITO陽(yáng)極與金屬陰極如同三明治般地將有機(jī)發(fā)光層包夾其中,當(dāng)電壓注入陽(yáng)極的電洞(Hole)與陰極來的電子(Electron)在有機(jī)發(fā)光層結(jié)合時(shí),激發(fā)有機(jī)材料而發(fā)光。
而目前發(fā)光效率較佳、普遍被使用的多層PM-OLED結(jié)構(gòu),除玻璃基板、陰陽(yáng)電極與有機(jī)發(fā)光層外,尚需制作電洞注入層(HoleInjectLayer;HIL)、電洞傳輸層(HoleTransportLayer;HTL)、電子傳輸層(ElectronTransportLayer;ETL)與電子注入層(ElectronInjectLayer;EIL)等結(jié)構(gòu),且各傳輸層與電極之間需設(shè)置絕緣層,因此熱蒸鍍(Evaporate)加工難度相對(duì)提高,制作過程亦變得復(fù)雜。
由于有機(jī)材料及金屬對(duì)氧氣及水氣相當(dāng)敏感,制作完成後,需經(jīng)過封裝保護(hù)處理。PM-OLED雖需由數(shù)層有機(jī)薄膜組成,然有機(jī)薄膜層厚度約僅1,000~1,500A°(0.10~0.15um),整個(gè)顯示板(Panel)在封裝加乾燥劑(Desiccant)後總厚度不及200um(2mm),具輕薄之優(yōu)勢(shì)。
第三節(jié)、有機(jī)發(fā)光材料的選用
有機(jī)材料的特性深深地影響元件之光電特性表現(xiàn)。在陽(yáng)極材料的選擇上,材料本身必需是具高功函數(shù)(Highworkfunction)與可透光性,所以具有4.5eV-5.3eV的高功函數(shù)、性質(zhì)穩(wěn)定且透光的ITO透明導(dǎo)電膜,便被廣泛應(yīng)用于陽(yáng)極。在陰極部分,為了增加元件的發(fā)光效率,電子與電洞的注入通常需要低功函數(shù)(Lowworkfunction)的Ag、Al、Ca、In、Li與Mg等金屬,或低功函數(shù)的復(fù)合金屬來制作陰極(例如:Mg-Ag鎂銀)。
適合傳遞電子的有機(jī)材料不一定適合傳遞電洞,所以有機(jī)發(fā)光二極體的電子傳輸層和電洞傳輸層必須選用不同的有機(jī)材料。目前最常被用來制作電子傳輸層的材料必須制膜安定性高、熱穩(wěn)定且電子傳輸性佳,一般通常采用螢光染料化合物。如Alq、Znq、Gaq、Bebq、Balq、DPVBi、ZnSPB、PBD、OXD、BBOT等。而電洞傳輸層的材料屬于一種芳香胺螢光化合物,如TPD、TDATA等有機(jī)材料。
有機(jī)發(fā)光層的材料須具備固態(tài)下有較強(qiáng)螢光、載子傳輸性能好、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性佳、量子效率高且能夠真空蒸鍍的特性,一般有機(jī)發(fā)光層的材料使用通常與電子傳輸層或電洞傳輸層所采用的材料相同,例如Alq被廣泛用于綠光,Balq和DPVBi則被廣泛應(yīng)用于藍(lán)光。
一般而言,OLED可按發(fā)光材料分為兩種:小分子OLED和高分子OLED(也可稱為PLED)。小分子OLED和高分子OLED的差異主要表現(xiàn)在器件的制備工藝不同:小分子器件主要采用真空熱蒸發(fā)工藝,高分子器件則采用旋轉(zhuǎn)涂覆或噴涂印刷工藝。小分子材料廠商主要有:Eastman、Kodak、出光興產(chǎn)、東洋INK制造、三菱化學(xué)等;高分子材料廠商主要有:CDT、Covin、DowChemical、住友化學(xué)等。目前國(guó)際上與OLED有關(guān)的專利已經(jīng)超過1400份,其中最基本的專利有三項(xiàng)。小分子OLED的基本專利由美國(guó)Kodak公司擁有,高分子OLED的專利由英國(guó)的CDT(CambridgeDisPlayTechnology)和美國(guó)的Uniax公司擁有。
第四節(jié)、OLED關(guān)鍵工藝
一、氧化銦錫(ITO)基板前處理
(1)ITO表面平整度:ITO目前已廣泛應(yīng)用在商業(yè)化的顯示器面板制造,其具有高透射率、低電阻率及高功函數(shù)等優(yōu)點(diǎn)。一般而言,利用射頻濺鍍法(RFsputtering)所制造的ITO,易受工藝控制因素不良而導(dǎo)致表面不平整,進(jìn)而產(chǎn)生表面的尖端物質(zhì)或突起物。另外高溫鍛燒及再結(jié)晶的過程亦會(huì)產(chǎn)生表面約10~30nm的突起層。這些不平整層的細(xì)粒之間所形成的路徑會(huì)提供空穴直接射向陰極的機(jī)會(huì),而這些錯(cuò)綜復(fù)雜的路徑會(huì)使漏電流增加。一般有三個(gè)方法可以解決這表面層的影響?U一是增加空穴注入層及空穴傳輸層的厚度以降低漏電流,此方法多用于PLED及空穴層較厚的OLED(~200nm)。二是將ITO玻璃再處理,使表面光滑。三是使用其它鍍膜方法使表面平整度更好。
(2)ITO功函數(shù)的增加:當(dāng)空穴由ITO注入HIL時(shí),過大的位能差會(huì)產(chǎn)生蕭基能障,使得空穴不易注入,因此如何降低ITO/HIL接口的位能差則成為ITO前處理的重點(diǎn)。一般我們使用O2-Plasma方式增加ITO中氧原子的飽和度,以達(dá)到增加功函數(shù)之目的。ITO經(jīng)O2-Plasma處理后功函數(shù)可由原先之4.8eV提升至5.2eV,與HIL的功函數(shù)已非常接近。
加入輔助電極,由于OLED為電流驅(qū)動(dòng)組件,當(dāng)外部線路過長(zhǎng)或過細(xì)時(shí),于外部電路將會(huì)造成嚴(yán)重之電壓梯度,使真正落于OLED組件之電壓下降,導(dǎo)致面板發(fā)光強(qiáng)度減少。由于ITO電阻過大(10ohm/square),易造成不必要之外部功率消耗,增加一輔助電極以降低電壓梯度成了增加發(fā)光效率、減少驅(qū)動(dòng)電壓的快捷方式。鉻(Cr:Chromium)金屬是最常被用作輔助電極的材料,它具有對(duì)環(huán)境因子穩(wěn)定性佳及對(duì)蝕刻液有較大的選擇性等優(yōu)點(diǎn)。然而它的電阻值在膜層為100nm時(shí)為2ohm/square,在某些應(yīng)用時(shí)仍屬過大,因此在相同厚度時(shí)擁有較低電阻值的鋁(Al:Aluminum)金屬(0.2ohm/square)則成為輔助電極另一較佳選擇。但是,鋁金屬的高活性也使其有信賴性方面之問題因此,多疊層之輔助金屬則被提出,如:Cr/Al/Cr或Mo/Al/Mo,然而此類工藝增加復(fù)雜度及成本,故輔助電極材料的選擇成為OLED工藝中的重點(diǎn)之一。
二、陰極工藝
在高解析的OLED面板中,將細(xì)微的陰極與陰極之間隔離,一般所用的方法為蘑菇構(gòu)型法(Mushroomstructureapproach),此工藝類似印刷技術(shù)的負(fù)光阻顯影技術(shù)。在負(fù)光阻顯影過程中,許多工藝上的變異因子會(huì)影響陰極的品質(zhì)及良率。例如,體電阻、介電常數(shù)、高分辨率、高Tg、低臨界維度(CD)的損失以及與ITO或其它有機(jī)層適當(dāng)?shù)酿ぶ涌诘取?/p>
三、封裝
⑴吸水材料:一般OLED的生命周期易受周圍水氣與氧氣所影響而降低。水氣來源主要分為兩種:一是經(jīng)由外在環(huán)境滲透進(jìn)入組件內(nèi),另一種是在OLED工藝中被每一層物質(zhì)所吸收的水氣。為了減少水氣進(jìn)入組件或排除由工藝中所吸附的水氣,一般最常使用的物質(zhì)為吸水材(Desiccant)。Desiccant可以利用化學(xué)吸附或物理吸附的方式捕捉自由移動(dòng)的水分子,以達(dá)到去除組件內(nèi)水氣的目的。
⑵工藝及設(shè)備開發(fā):封裝工藝之流程如圖四所示,為了將Desiccant置于蓋板及順利將蓋板與基板黏合,需在真空環(huán)境或?qū)⑶惑w充入不活潑氣體下進(jìn)行,例如氮?dú)狻V档米⒁獾氖牵绾巫屔w板與基板這兩部分工藝銜接更有效率、減少封裝工藝成本以及減少封裝時(shí)間以達(dá)最佳量產(chǎn)速率,已儼然成為封裝工藝及設(shè)備技術(shù)發(fā)展的3大主要目標(biāo)。
關(guān)鍵詞: OLED
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