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視點!電動車、新能源領域的需求急增 第三代半導體加速“上車”


【資料圖】

日本半導體材料大廠昭和電工近日宣布,其碳化硅(SiC)功率半導體的8英寸SiC外延晶圓已開始進行樣品出貨。昭和電工表示,和原先使用硅晶圓的功率半導體相比,SiC功率半導體的電力損耗更少、更不易發熱,來自電動車、再生能源領域的需求急增。

SiC半導體性能優異,其禁帶寬度是硅的3倍,擊穿電壓是硅的8-10倍,導熱率是硅的3-5倍,電子飽和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求,是制作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一。券商人士分析指出,未來隨著大直徑襯底占比提升、襯底和外延晶片質量提高、單晶平均可用厚度持續增加以及擴產導致規模效應增大,SiC產業鏈各環節成本有望持續降低,并實現對于下游領域的加速滲透。

關鍵詞: 三代半導體

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