PA（功率放大器）是射頻前端（RFFE）重要器件之一，也是中國無線通信技術的掣肘環節。盡管CMOS PA并非最新技術，甚至其已有20多年的發展歷程，但隨著5G、物聯網應用不斷演進，CMOS PA技術也開始走向前臺。

過去20多年，CMOS PA技術競爭可謂“激蕩回腸”，一些參與者消弭無跡，一些參與者卻在科技巨頭兼并整合之下悄然成長。過去十年，一些中國本土PA企業也涉入CMOS PA，扎根技術研發，取得了一定的進展，甚至在一些細分領域已有趕超全球先進水平之勢。如今看來，伴隨物聯網蓬勃而來，CMOS PA在未來十年內仍將是芯片工藝技術針對性能和成本的最佳選擇。

CMOS PA的誕生

故事要從二十年前一起商業機密官司說起。

2004年2月6日，美國加州的一家創業公司Axiom轟動性地發布了全球第一款CMOS PA產品，其支持quad-band GSM。這意味著世界上第一款可量產的2G CMOS PA就此面世！

2月9日，美國德州的Silab公司同樣宣布，經過四年的研發，發布全球第一款quad-band GSM CMOS PA，并且完美適配其公司成功量產的Aero系列CMOS收發機芯片！

一周后，Silab公司向Axiom公司遞交律師函，狀告Ali Niknejad（原Silab實習生，現UC-Berkeley教授，CMOS PA一代宗師）竊取商業機密并輸送給Axiom。

然而，Axiom的技術路線與Silab實則大相徑庭。CMOS PA便在這場首發爭奪戰的彌漫硝煙中呱呱墜地。

Axiom的創始人Dr.Aoki是一位日裔科學家。他師從Caltech的IC泰斗Prof. Ali Hajimiri，自2000年甚至更早便開展基于DAT（distributed-active-transformer）架構的CMOS PA設計。這種天才的想法克服了on-chip電感Q值低的缺點，單片集成了全套PA。Axiom便是他學術成果產業化的產物。在Axiom時期，Dr.Aoki又發明出一種能夠克服CMOS晶體管breakdown voltage（擊穿電壓）低的方法，巧妙地運用了virtual ground，將NMOS晶體管的堆疊和DAT架構完美融合，可謂巧奪天工！

1999年，猶太裔科學家Dr.Susanne Paul從MIT取得本碩博三料學位后，在加州硅谷、北卡RTP（research triangle park）和相對貧瘠的德州里選擇了德州，理由樸素且令人“啼笑皆非”：她想有一棟屬于自己的大房子，并且要用自己的雙手打造它。在德州，Susanne加入Silab便成為了CMOS PA帶頭人。當然，她也被CMOS晶體管breakdown voltage低的問題困擾得一籌莫展。

一天，她在為草坪割草時，一個驚世想法砰然涌現，從此Class P架構的CMOS PA誕生了！

2004年，DAT架構和Class P架構同時將CMOS PA帶到了世界。即使從現在看來，這兩種發明依然驚世駭俗。這莫不是一場美妙甚至精妙的邂逅？

這種碰撞開啟了CMOS PA注定不平凡的一生！Silab公司的指控間接導致了Axiom商業失敗，最終于2009年被射頻前端芯片巨頭Skyworks收購。Skyworks是一家擁有GaAs產線的IDM，面對CMOS工藝的威脅，對Axiom的收購是明顯的“buy-to-kill”。

背叛與競爭

Susanne在2007年的產假期間，遭到了原下屬David Buckman的“背叛”，在一場“政治風波”中心灰意冷，憤然離職。

數月后，原Silab公司的元老級人物Dave Pietruszynski和Jim Nohrden找到Susanne，邀請她在Austin一起締造一家全新的CMOS PA公司，進軍當時最先進的3G。

3G PA和2G PA有著質的區別。3G對PA線性度的要求是2G所不需要的，也是目前CMOS PA在2G統一了天下，但在線性PA領域的成功卻寥寥無幾的重要原因。因為將CMOS這類天生非線性的工藝設計成線性PA，實在太難了。

不過，這個世界級難題無疑重新激發了Susanne的斗志。Black Sand公司的成立仿佛撕開天邊落霞的孤鴻，開啟了線性CMOS PA的新紀元！

2009年，Black Sand成功發布全球第一款3G CMOS PA。這意味著線性CMOS PA的成功！次年，“背叛者”David Buckman成立的Javelin公司，也發布了3G CMOS PA。

進入2010年后，各色CMOS PA公司猶如井噴式涌現：

2011年，加州的Amalfi公司發布了2G CMOS PA，2012年末被另一家射頻前端巨頭RFMD（現Qorvo）收購，并購后由于開發線性3G CMOS PA失敗而銷聲匿跡。

2013年，Amalfi的成功啟發了中國的汗天下公司，成功量產了成本極致的2G CMOS PA，并且在2G市場一騎絕塵，成為了這個市場的“大哥大”。而后，一系列的2G CMOS PA公司如雨后春筍般涌現。然而，在線性PA的領域，各類國內公司都無法取得突破與成功，停留在飽和PA的水平。

2012年，加州的RF Axis公司發布了應用于WiFi和IOT的線性CMOS PA。這是CMOS PA首次進軍物聯網。然而，由于管理層的原因，RF Axis曾經分出了一家叫Morfis的公司，似乎沒有很成功的產品面世。2016年，RF Axis被Skyworks低價收購，依然是Skyworks熟悉的絕招：buy-to-kill。2013年，Avago將Black Sand的宿敵Javelin收購，將CMOS PA技術應用于其GaAs PA的驅動級，類似于目前慧智微的hybrid PA技術；后來該團隊又集體跳槽到被Murata收購的Peregrine，而后絕跡江湖。

2013年2月22日,高通發布了最新射頻芯片——RF360前端解決方案。這是一個綜合的系統級解決方案，針對解決蜂窩網絡射頻頻段不統一的問題，首次實現了單個移動終端支持全球所有4G LTE制式和頻段的設計。

2013年，高通RF360高調推出應用于4G的CMOS PA，一度將CMOS PA技術推到了風口浪尖之最頂尖。CMOS技術經過了十余年的迭代，替代GaAs的呼聲在當時鵲起。

然而，高通的CMOS PA卻并非天生線性，而是利用其平臺優勢，通過DPD技術將非線性CMOS PA線性化。這一技術在基站PA中廣泛成功應用，但在手機芯片有限的運算資源和復雜的天線環境下，讓高通的這一如意算盤沒能打響。

2014年，高通高價并購Black Sand公司，希望引入線性CMOS PA技術，“拯救”投入多年的CMOS PA工程。但Susanne做了兩年艱苦卓絕的努力，最終由于種種原因寡不敵眾，留下種種drama，空留下無奈的淚水。

“微光”初現

那么，4G線性CMOS PA之路徹底失敗且無解了？

實際上，PA主要有CMOS、GaAs、GaN三大技術路線，其中GaN正成為中高頻頻段PA主要技術路線，SiGe技術路線也在崛起。然而，在高通力拱之下，CMOS PA發展聲勢更是一度高漲，但CMOS技術在材料上的劣勢，使其高頻操作性能仍有待改善，短期內打進高端LTE Cat.4的希望似乎有些渺茫。在日趨競爭激烈的射頻前端市場，大多數企業都選擇一個同質化的技術路線——GaAs工藝。

隨著激烈的CMOS PA競爭風雨漸息，海外巨頭通過并購整合補齊產品線，逐漸形成壟斷格局。

2015年，射頻前端巨頭RFMD和TriQuint合并成立Qorvo，前者擅長PA研發，后者擅長SAW和BAW濾波器，二者實現技術互補。繼收購Javelin公司之后，Avago又于2016 年收購通信芯片巨頭 Broadcom 并改名為 Broadcom。至此，全球PA市場競爭格局基本形成。據Yole數據統計，Broadcom、Skyworks、Qorvo三家廠商占據全球80%以上的PA市場份額。

然而，在激烈并購整合過程中，一批來自高通、Black Sand、R Faxis等企業的中國核心技術人員回國，在大洋的彼岸開啟了PA技術創新創業之路。

康希通信

在RF Axis被Skyworks低價收購之后，幾位核心員工回國成立了康希通信，在前期推出了幾款2G CMOS PA，后續轉戰GaAs工藝后，深耕WiFi市場，擁有業界少有的高線性純CMOS射頻前端技術，開創性地采用DeltaRF PA架構，設計出高性能WLAN、NB-IoT和5G NR微基站射頻前端芯片，并批量化商用，做到了WiFi FEM的國內龍頭，準IPO過程中。

漢天下

Amalfi的成功就啟發了中國的汗天下公司。早在2013年6月漢天下就發布了單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片系列產品。漢天下通過CMOS 2G PA在性能上可以媲美GaAs PA，在成本上輾壓2G GaAs PA，一舉取得60%以上的市場份額，并持續演進到3G和NB-IoT CMOS PA。2016年漢天下也因2G CMOS PA曾獲得“第十屆（2015年度）中國半導體創新產品和技術項目獎。

毫無疑問，CMOS工藝的PA應用于消費電子領域的技術難度還是比較大的，畢竟擊穿電壓比較低、線性度差都是傳統CMOS工藝器件繞不過的先天性弊端。不過，盡管CMOS在材料上存在一些劣勢，但其具有低成本、穩定的供應鏈等優勢，而且擁有更好的導熱性、漏電性能和抗靜電等特性。

甚至可以說，在某種意義上，半導體技術發展的歷史就是CMOS工藝進步的歷史。因此，歷史一再證明，一旦在滿足某項應用所需的性能之后，CMOS工藝在和其它工藝的競爭中，總能成為主流。特別是隨著物聯網時代的到來，CMOS PA的曙光再現：一些國內企業采用低成本的CMOS工藝，搶占低功耗、低速率的物聯網場景的機遇，比如飛驤科技、芯翼信息、地芯科技等。

飛驤科技

飛驤科技是少數同時具有砷化鎵PA（GaAs）設計能力和硅基PA（CMOS和SOI）設計能力的射頻芯片廠商之一。該公司從2013年開始發展SOI開關技術（SOI是CMOS的一個分支），2016年開始發展CMOS PA技術，利用CMOS技術打造了開關、LNA、CMOS PA三條產品線。飛驤科技用2G/3G的CMOS PA產品替代2G/3G的GaAs PA產品，并實現量產銷售。

芯翼信息

芯翼信息以NB-IoT為核心賽道，于2018年推出了NB-IoT芯片，突破了全球蜂窩通信芯片的集成度瓶頸。2022年，芯翼信息發布第二代NB-IoT芯片，集成射頻開關及濾波器、免32K校準，超寬壓范圍（2V-5V），免校準綜合測試等，預計將在2023年大規模推向市場。

地芯科技

地芯科技是堅定的CMOS工藝路線的支持者，其創始人曾是Black Sand體硅功率放大器射頻團隊核心人員，帶隊成功開發并量產多款應用于3G/4G/IoT的功率放大器，包括世界上第一款基于體硅的線性射頻功率放大器產品。2018年，地芯科技成立，現已形成射頻前端、射頻收發機和模擬信號鏈三大產品線。2022年11月，地芯科技宣布量產國產射頻寬帶收發機地芯風行系列GC0802，目前完成客戶首輪驗證！與此同時，地芯科技核心技術團隊也一直都在挑戰曾在高通未能實現的線性4G CMOS PA。據悉，5月中旬將在上海有重磅相關產品發布，如若此次新品與4G CMOS PA有關，或將會創造CMOS PA新歷史！

結語

“缺芯少魂”一直懸在中國頭上的“達摩克利斯之劍”。在中美半導體脫鉤愈加明顯的趨勢下，疊加不斷上升的萬物互聯需求，中國亟待走上國產化強“芯”之路。而CMOS PA一縷“微光”，或將在中華大地閃出一道耀眼的光芒。

免責聲明：市場有風險，選擇需謹慎！此文僅供參考，不作買賣依據。

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