作者： Xingxuan Huang，高級應用工程師

Xinyu Liang，產品應用部高級經理

(資料圖片僅供參考)

Chuan Shi，應用工程師

摘要

對于需要數千安培大電流的應用來說，具有極快動態(tài)響應的穩(wěn)壓器(VR)是非常合宜的。本文介紹基于變壓器的穩(wěn)壓器，其采用跨電感電壓調節(jié)器(TLVR)結構，設計用于在負載瞬變期間實現極快響應。采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器克服了傳統(tǒng)TLVR結構的缺點，提供很大的設計靈活性和極快的瞬態(tài)響應，因而輸出電容和解決方案尺寸更小，系統(tǒng)成本更低。文中提供了詳細的實驗結果和案例研究，以展示采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器具備的綜合優(yōu)勢。

簡介

如今，隨著多相穩(wěn)壓器用于為CPU、GPU、ASIC等各種微處理器供電，其重要性與日俱增。近年來，這些微處理器的功率需求一直在急劇增加，特別是在電信和一些新興應用中，如加密貨幣挖礦和自動駕駛系統(tǒng)。因此，微處理器需要更高擺率的更大電流。這就要求穩(wěn)壓器在負載瞬變期間具有更快的動態(tài)響應，以滿足輸出電壓紋波要求。從系統(tǒng)尺寸的角度來看，極快的動態(tài)響應可減小所需的輸出電容并縮小輸出電容的尺寸，因而非常有吸引力。此外，更小且更少的輸出電容有利于降低系統(tǒng)成本。本文將介紹一種基于變壓器的穩(wěn)壓器解決方案，它采用TLVR結構，旨在實現極快的負載瞬態(tài)響應，并大幅縮減輸出電容的尺寸和成本。在基于變壓器的穩(wěn)壓器解決方案中引入TLVR結構后，TLVR結構的傳統(tǒng)挑戰(zhàn)可以很容易地解決。

本文將詳細說明如何設計和實現，并通過基于實際應用的案例研究展示其綜合優(yōu)勢。還應注意的是，本文中的設計和實現細節(jié)目前正在申請專利。

TLVR結構能夠有效加速多相穩(wěn)壓器負載瞬變期間的動態(tài)響應^1,2,3。如圖1所示，TLVR結構用TLVR電感取代了傳統(tǒng)多相穩(wěn)壓器中的輸出電感。TLVR電感可以被視為一個1:1變壓器，它具有一個初級繞組和一個次級繞組。所有TLVR電感的耦合是通過連接所有TLVR電感的次級繞組來實現的。TLVR電感副邊的電流I_LC由所有不同相位的控制信號決定。由于耦合效應，一旦穩(wěn)壓器的一個相位的占空比改變以響應負載瞬變，那么所有相位的輸出電流可以同時斜坡上升或下降。這就是TLVR結構能夠實現出色負載瞬變性能的原因。

基于變壓器的穩(wěn)壓器

基于變壓器的穩(wěn)壓器一直是各種微處理器的有競爭力的電源解決方案。基于變壓器的穩(wěn)壓器配備了降壓變壓器，具有很高且靈活的降壓比、簡單緊湊的結構和高效率。與無變壓器的多相穩(wěn)壓器相比，基于變壓器的穩(wěn)壓器允許更高的輸入電壓，從而為簡化穩(wěn)壓器設計和實現更高效率開辟了一個全新的世界。

圖2顯示了基于變壓器的穩(wěn)壓器的一個代表性示例的電路圖。該穩(wěn)壓器電路具有一個降壓變壓器，其副邊上有兩個次級繞組和一個電流倍增器結構。可以設計更多的次級繞組來實現更高的輸出電流和功率密度，并且副邊上不需要額外的控制信號。通過適當的控制電路和策略，圖2中的多個示例穩(wěn)壓器電路可以很容易地并聯起來，以便為各種高性能微處理器提供所需的電流。因此，本文通篇以圖2所示的穩(wěn)壓器電路為例。

圖1.(a)無TLVR結構的傳統(tǒng)多相穩(wěn)壓器的電路圖，(b)采用TLVR結構的多相穩(wěn)壓器的電路圖

圖2.一個基于變壓器的穩(wěn)壓器示例的電路圖

TLVR結構在基于變壓器的穩(wěn)壓器中的優(yōu)勢

TLVR結構可以顯著加速沒有任何降壓變壓器的穩(wěn)壓器在負載瞬變期間的動態(tài)響應，這點已經得到了很好的證明。然而，這種出色的動態(tài)性能伴隨著許多挑戰(zhàn)^1,2,3。在沒有任何降壓變壓器的情況下，無變壓器穩(wěn)壓器通常以低占空比工作，TLVR電感的原邊和副邊均施加高電壓。TLVR電感副邊的高伏秒導致TLVR電感副邊存在高環(huán)流，并在穩(wěn)態(tài)工作期間產生額外的功率損耗。因此，如圖1b所示，應添加電感L_C以限制TLVR電感次級繞組中的環(huán)流¹。額外的電感會進一步增加系統(tǒng)損耗和成本。

在基于變壓器的穩(wěn)壓器中引入TLVR結構后，TLVR結構帶來的挑戰(zhàn)可以順利化解。TLVR結構與降壓變壓器相結合時，由于主變壓器的高降壓比，TLVR結構的缺點變得不那么明顯。同時，耦合效應推動所有相位的電流在負載瞬變期間同步響應，因此仍然可以實現極快的動態(tài)響應。由于降壓變壓器，施加到TLVR電感的電壓變得更低，從而降低電感損耗。TLVR電感副邊所需的附加電感可以低得多。事實上，可以利用寄生電感來消除附加電感，這樣附加電感帶來的額外損耗和成本也就不存在。此外，與TLVR電感和附加電感相關的絕緣問題也不再是問題。

采用靈活TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器

在采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器中，電路中的所有輸出電感都被TLVR電感取代。此外，當在基于變壓器的穩(wěn)壓器中應用TLVR結構時，有兩類方案可以實現，這為此結構的實施提供了很大的靈活性。圖3以圖2所示的兩個并聯穩(wěn)壓器模塊為例，顯示了這兩類實現的電路圖。圖3a中的實現稱為串聯連接，因為TLVR電感的所有次級繞組都是串聯。圖3b所示的另一種實現稱為串并聯連接。在模塊1中，L11和L12的次級繞組串聯連接，然后與串聯連接的L13和L14的次級繞組并聯。模塊1中TLVR電感次級繞組的這種連接最終與模塊2中的對應連接串聯，如圖3b所示。類似地，當兩個以上的基于變壓器的穩(wěn)壓器模塊并聯連接時，可以將圖3所示的TLVR結構實現兩次。

設計和實現上增強的靈活性并不會增加控制的復雜性。采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器的兩種實現采用相同的控制方案。這里以三個模塊并聯的基于變壓器的穩(wěn)壓器為例來介紹控制方案。在不同穩(wěn)壓器模塊的控制信號之間插入相移。模塊1和模塊2之間插入的相移為60°，模塊2和模塊3的控制信號之間插入60°的相移。如果有N個模塊并聯，則兩個相鄰模塊之間插入的相移為180°/N。

基于所提出的控制方案，可以推導出施加到所有TLVR電感的電壓。圖4總結了兩個模塊并聯的基于變壓器的穩(wěn)壓器中所有TLVR電感的電壓波形。由于圖3中的兩種實施方式具有相同的控制信號，因此電感電壓波形也相同。還可以觀察到，L11和L13具有相同的電壓波形，L12和L14也是如此。這些電感電壓波形有效地解釋了為什么圖3b中的串并聯連接是合法的。TLVR電感副邊的電流I_sec具有高頻紋波，其頻率為主降壓變壓器原邊中的MOSFET開關頻率的4倍。當N (N > 2)個模塊并聯時，I_sec的電流紋波將處于更高的頻率（2N×開關頻率），并且I_sec的幅度可能進一步降低。因此，所提出的相移控制方案不僅能夠減小輸出電壓紋波，而且可以有效抑制I_sec的紋波，從而降低TLVR電感副邊的傳導損耗。

此外，采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器中不需要額外的電感。與額外電感相關的額外成本和損耗也就不存在，因此系統(tǒng)的效率和成本大大受益。由于變壓器降壓比很高（n很?。?，因此與采用TLVR結構的無變壓器穩(wěn)壓器相比，TLVR電感的電壓顯著降低。所以，沒有必要在TLVR電感的副邊引入額外補償電感L_c來抑制電流紋波。有關TLVR電感電壓的詳細信息可參見圖4。在這種情況下，電路中的寄生電感和TLVR電感的漏感在TLVR電感副邊的電流(I_sec)整形中起著關鍵作用。為了進一步提高負載瞬變期間的動態(tài)性能，降低TLVR電感副邊的漏感和寄生電感很重要。

圖3.兩個并聯的采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器模塊的兩種實現：(a)串聯連接，(b)串并聯連接

圖4.采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器模塊（兩個模塊并聯）中TLVR電感的電壓和次級電流波形

原型和實驗結果

我們設計并構建了采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器模塊的兩種實現方案，包括串聯版本和串并聯版本。圖5a顯示了典型TLVR電感的3D模型。構建的模塊原型參見圖5b。兩個版本的尺寸與無TLVR結構的版本相同。換句話說，無論實施串聯連接還是串并聯連接，采用TLVR電感以實現TLVR結構都不會增加穩(wěn)壓器模塊的尺寸。

使用所構建的原型成功展示了采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器的極快負載瞬變性能。實驗設置由兩個并聯運行的穩(wěn)壓器模塊組成，如圖5b所示。TLVR電感的副邊沒有安裝額外電感。負載瞬變在20 A至170 A之間，擺率為125 A/μs。圖6所示的基線比較以串并聯版本為例，清楚地展示了采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器的出色負載瞬變響應。為了進行公平比較，無TLVR結構的情況是通過斷開TLVR電感副邊連接來實現的。當負載電流從20 A上升到170 A時，采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器可以更快速地調節(jié)輸出電壓，峰峰值電壓紋波要低得多。

經過進一步改進，采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器可實現極快的負載瞬變響應。詳細的瞬變波形如圖7所示。在從20 A到170 A的相同瞬變下，得益于TLVR結構帶來的極快響應，峰峰值輸出電壓紋波僅為23.7 mV。采用TLVR結構大大加快了動態(tài)響應，峰峰值輸出電壓紋波因此降低62%。測得的115 kHz的高控制帶寬也證明了TLVR結構能夠實現極快的負載瞬變響應。詳細比較總結在表1中。

圖5.(a) TLVR電感的3D模型，(b)采用TLVR結構的兩個基于變壓器的穩(wěn)壓器原型在演示板上并聯

表1.采用TLVR結構和無TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器的動態(tài)響應比較

結構	采用TLVR結構	無TLVR結構
輸出電容	15.2 mF	15.2 mF
電壓紋波（峰峰值）	23.7 mV	62 mV
控制帶寬	115 kHz	45 kHz
相位裕量	69°	40.7°

圖6.采用TLVR結構和無TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器的負載瞬變響應比較

圖7.采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器的極快負載瞬變響應

案例研究

為了進一步展示將基于變壓器的穩(wěn)壓器與TLVR結構相結合的優(yōu)勢，本節(jié)介紹一個基于變壓器的穩(wěn)壓器的案例研究，其規(guī)格要求來自實際應用。采用和不采用TLVR結構的兩種基于變壓器的穩(wěn)壓器解決方案都進行了實現和測試，以提供0.825 V/540 A供電軌。規(guī)格和測試結果的詳情總結在表2中。在相位裕量和增益裕量相當的情況下，采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器解決方案實現了比不采用TLVR結構的穩(wěn)壓器解決方案高61%的控制帶寬。因此，這再次證明了TLVR結構支持極快的瞬變，如圖8所示。峰峰值輸出電壓紋波僅為40.92 mV，比0.825 V輸出電壓的5%還低。

與不采用TLVR結構的穩(wěn)壓器解決方案相比，采用TLVR結構的穩(wěn)壓器解決方案節(jié)省了39%的輸出電容，但仍實現了低得多的峰峰值電壓紋波。因此，輸出電容數量減少27%，導致系統(tǒng)解決方案尺寸大大減小。此外，由于TLVR結構支持極快的瞬變響應，輸出電容的成本可以減少43%。

一般來說，采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器具有極快的動態(tài)響應，可以有效減小輸出電容，同時在快速負載瞬變期間仍能保持低輸出電壓紋波。另外，采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器中不需要額外的電感。因此，采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器解決方案不僅可以顯著減小解決方案總體尺寸，還能大幅降低解決方案成本，尤其是輸出電容成本。兩種可用實現方案進一步帶來了很大的靈活性，同時控制復雜性并未增加。

圖8.采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器在150 A至350 A負載瞬變下的極快負載瞬變響應（三個穩(wěn)壓器模塊并聯）

表2.基于變壓器的穩(wěn)壓器解決方案案例研究，規(guī)格來自客戶

結構	采用TLVR結構的穩(wěn)壓器解決方案	無TLVR結構的穩(wěn)壓器解決方案
輸出電流	540 A	540 A
輸出電壓	0.825 V	0.825 V
穩(wěn)壓器模塊數	三個并聯	三個并聯
開關頻率	550 kHz	550 kHz
電壓紋波（峰峰值）	40.92 mV	61.15 mV
控制帶寬	55 kHz	34.2 kHz
相位裕量/增益裕量	78.8°/9.9 dB	65.5°/10.4 dB
總輸出電容	24.88 mF	40.92 mF
輸出電容數	74	101
輸出電容成本	$9.50	$16.75

結語

在廣泛的應用中，微處理器消耗更高擺率的更大電流，因此微處理器的穩(wěn)壓器解決方案需要具有更快的動態(tài)響應。本文介紹了采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器，它能在微處理器的負載瞬變期間實現極快的動態(tài)響應。通過將基于變壓器的穩(wěn)壓器與TLVR結構相結合，由于主變壓器的降壓比很大，TLVR結構的傳統(tǒng)挑戰(zhàn)可以很容易地解決。TLVR電感的過大損耗可以顯著降低，并且不需要額外的補償電感，因而損耗和成本更低。此外，當在基于變壓器的穩(wěn)壓器中實現TLVR結構時，有兩類方案可以采用，這為設計和實現提供了很大的靈活性。這兩種實現方案可以使用相同的控制方案來控制許多并聯的穩(wěn)壓器模塊。實驗結果證明，與無TLVR結構的穩(wěn)壓器相比，這兩種實現方案都能實現極快的負載瞬變響應，控制帶寬高2.56倍，峰峰值電壓紋波低62%。一個詳細的案例研究進一步展示了采用TLVR結構的基于變壓器的穩(wěn)壓器在解決方案尺寸和成本方面的綜合優(yōu)勢。

參考文獻

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2.Ming Xu、Yucheng Ying、Qiang Li和Fred C. Lee?！靶滦婉詈想姼卸嘞喾€(wěn)壓器”。IEEE APEC，2007年2月。

3.Shreyankh Krishnamurthy、David Wiest和Yosef Zhou。“跨電感電壓調節(jié)器(TLVR)：電路運行、功率磁結構、效率和成本的權衡”。PCIM Europe，2022年5月。

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關于作者

Xingxuan Huang是ADI公司（美國加州）的高級應用工程師，主要負責電源產品。他于2019年和2021年分別獲得田納西大學諾克斯維爾分校電氣工程碩士學位和博士學位，研究方向是電力電子。

Xinyu Liang是ADI公司工業(yè)和多市場部門的應用工程經理，主要負責電源產品。他于2018年獲得美國北卡羅來納州立大學電氣工程博士學位，并在畢業(yè)后于2019年開啟在ADI公司的職業(yè)生涯。

Chuan Shi是ADI公司（美國加州）的應用工程師。他以優(yōu)異的成績從美國馬里蘭大學帕克學院獲得電氣工程博士學位。他的專長是汽車、工業(yè)和通信應用的電力電子轉換器的建模、分析、設計和控制。

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