Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）功率轉換產品的領軍企業和全球供應商。公司宣布推出六款表面貼裝器件（SMD），采用行業標準PQFN 5x6和8x8封裝。這些SMD提供Transphorm專利SuperGaN? d-mode雙開關常閉式平臺所帶來的可靠性和性能優勢，并采用為競品e-mode GaN器件常用的封裝配置。因此，這六款設備可在e-mode GaN解決方案中輕松用作第一設計源，或用作引腳對引腳兼容的插拔式替換和/或第二來源。

(相關資料圖)

對于需要SuperGaN平臺的額外熱性能的電源系統，Transphorm另提供采用經優化Performance封裝的SMD。無論何種封裝，所有Transphorm器件都具有易于設計和驅動的特點，因為d-mode配置使用的是與GaN HEMT配對的低電壓Silicon MOSFET。該平臺配置還允許使用標準的現成品控制器和/或驅動器，進一步提升了Transphorm系列產品的卓越驅動性和可設計性。

Transphorm業務拓展和營銷高級副總裁Philip Zuk表示：“Transphorm持續生產強大的GaN器件組合，覆蓋了當今最廣泛的功率范圍。通過推出這些行業標準封裝，我們進一步鞏固了我們的低功率策略，而在此前，我們剛剛發布了與Weltrend半導體共同開發的SiP封裝。現在客戶可以選擇如何利用SuperGaN的優勢，不論是通過Performance封裝、引腳對引腳e-mode兼容的行業標準封裝還是通過系統級封裝。”

SuperGaN插拔式替換的優勢

經證明，用SuperGaN d-mode FET替換e-mode器件能夠降低傳導損耗，提供更高的性能和更低的工作溫度，從而實現更長的壽命可靠性。這是由于與e-mode GaN常閉式設備相比，d-mode GaN常閉式設備從根本上具有內在的優勢。最近的一次直接比較便可為此提供證明，該測試用72 mΩ SuperGaN技術替換了280W游戲筆記本電腦充電器的50 mΩ e-mode設備：https://bit.ly/diraztbISP。

在充電器分析中，SuperGaN FET可以在控制器的輸出電壓范圍內工作（而e-mode需要電平轉換），且溫度更低。SuperGaN的電阻溫度系數（TCR）約比e-mode低 25%，有助于降低傳導損耗。此外，外圍元件數量減少了20%，表明原材料成本也更低。

行業標準的SMD系列產品

Transphorm的行業標準PQFN設備清單如下：

這些設備共享的主要特點包括：

符合JEDEC標準

動態RDS(on)eff生產測試

市場領先的穩健設計，寬柵極安全裕度，瞬態過電壓能力

極低的逆向恢復電荷

減少交叉損耗

目標應用

72 mΩ FET的優化設計適用于數據通信、廣泛的工業、光伏逆變器、伺服電機、計算系統和普通消費類應用。

150、240和480 mΩ FET的優化設計適用于功率適配器、低功率開關電源、照明和低功率消費類應用。

供貨情況

所有行業標準設備目前提供樣品，可以在此處申請：https://www.transphormusa.com/en/products/#sampling。

關于Transphorm

Transphorm, Inc.是全球GaN革命的領導者，為高電壓功率轉換應用設計和制造高性能、高可靠性的GaN半導體。Transphorm擁有龐大的功率GaN知識產權組合，包括超過1000個自有或授權專利，生產了業界首款符合JEDEC和AEC-Q101標準的高電壓GaN半導體器件制造商。公司的垂直一體化器件商業模式利于每一個開發階段的創新，包括設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新推動電力電子技術突破了硅材料的局限，實現了99%以上的效率，使功率密度提高50%，系統成本降低20%。Transphorm總部位于加州戈萊塔市，在戈萊塔和日本會津設有制造業務。欲了解更多信息，請訪問www.transphormusa.com。敬請關注我們的Twitter@transphormusa和微信@ Transphorm_GaN。

在 businesswire.com 上查看源版本新聞稿:?https://www.businesswire.com/news/home/20230427005313/zh-CN/

關鍵詞：