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【原創】大為創芯:DRAM Q3有望反彈,但NAND Flash反彈有難度


(資料圖)

作者:張國斌、曾思敏

當一個市場處于下行趨勢時,需要有新的刺激,才能改變市場的走勢,在經歷近一年大幅下跌之后 ,有哪些行業將給存儲產業注入新的活力,改變其走勢呢?在近日的2023CFMS閃存峰會上,深圳市大為創新科技股份有限公司(股票代碼:002213,下稱“大為股份”)旗下存儲業務子公司深圳市大為創芯微電子科技有限公司(下稱“大為創芯”)首席技術官陳宗廷在接受電子創新網等媒體采訪時指出,他認為人工智能、新能源汽車等將帶動存儲市場反彈。

“人工智能應用主要分為四個流程,感知、運算、學習和生成。運算跟學習會用到非常多的存儲,尤其是在學習的過程中,因為要把已知的資料跟算法分別歸類去做儲存,所以對存儲需求很大,這也是大為創芯積極在布局的市場,亦是大為創芯的優勢領域,如人臉辨識、智能家居,都是貼近消費者的產品,這個領域是大為創芯有成熟產品的領域。”他解釋說,“存儲市場,2022年其實就已經很低迷,整個的供給是大于需求的。但是如果反過來看,DRAM各廠家已經確定減產了,所以在23年的三季度DRAM會到達一個供需平衡,然后年底有機會反彈。”

不過他認為NAND Flash反彈有難度,因為NAND flash早就已經供給大于需求了,而且隨著新制程的推出,整個flash市場比較難達到一個供需平衡。 不過,數字化推動數據中心興起,在數據中心領域,DRAM跟SSD 的需求量是非常龐大的。所以在國內數據中心帶動下,會不會讓整個國內市場觸底反彈?他認為2023年Q4也許有機會。

此外,他認為在新能源車的帶動下,車用存儲器也會反彈。而隨著chatGPT走熱,也會用到大量的內存條和SSD,甚至延伸到消費者終端的嵌入式產品里。

他表示針對這樣的趨勢,大為創芯為數據中心規劃了DDR5內存條,產品有望陸續在2023年第四季度和2024年第一季度量產。在新能源汽車領域,大為創芯會推出新能源汽車專用的DRAM(Low Power DDR/DDR)、eMMC等寬溫級產品,布局汽車輔助駕駛360環視領域,目前已經有客戶群。

從技術發展趨勢來看,PC市場內存條已經從DDR4向DDR5迭代,網通產品也普及了DDR4,而嵌入式存儲產品今年有望從DDR3升級到DDR4。一方面原因是DDR3減產導致供給不足,消費者對存儲性能要求提升;另一方面,去年疫情影響了消費信心,運營商支出縮減,導致DDR4推廣進程被推遲。

“大為創芯會將DDR3和DDR4作為今年推廣重點。”陳宗廷表示,“今年公司嵌入式存儲的重點還是以網通為應用中心,配合大為股份智能終端事業板塊的發展。”

注:本文為原創文章,未經作者授權嚴禁轉載或部分摘錄切割使用,否則我們將保留侵權追訴的權利

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