? 提供最廣泛的功率范圍：此次參展的全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 設(shè)計將揭示 1200 V SuperGaN 器件的設(shè)計資源? 觀眾將見證 SuperGaN 平臺無可比擬的可靠性、效率和性能

(資料圖片)

Transphorm, Inc.?(納斯達(dá)克代碼：TGAN) 是一家提供高可靠性、高性能氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的領(lǐng)軍企業(yè)和全球供應(yīng)商。該公司宣布將在?PCIM 2023?展會上重點展示其在全功率范圍市場應(yīng)用中不斷延伸的足跡。參展器件將展示 Transphorm 采用 GaN 功率轉(zhuǎn)換解決方案支持從低到高的各個等級功率系統(tǒng)的能力，呈現(xiàn)無可比擬的可制造性、可設(shè)計性、可驅(qū)動性和可靠性。誠邀與會者在 5 月 9 日至 11 日的活動期間蒞臨 Transphorm 在 7 號展廳的 108 號展位。

降低 BOM 成本

WT7162RHUG24A?是最近宣布與 Weltrend 半導(dǎo)體公司合作研發(fā)的 SuperGaN? SiP，繼在 APEC 2023 上首次亮相后，將在此展會上再次展出。它將與 Weltrend 的高效單級 65 W USB-C PD 3.0 + PPS 電源適配器參考設(shè)計一起展出。此款參考設(shè)計采用新的集成電路構(gòu)建。該電路板的總峰值效率約為 94.0%，功率密度為 26 W/in3，為可編程適配器提供了一個全面的、經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。如需 SiP 樣品，請聯(lián)系?sales@weltrend.com.tw。

演示系統(tǒng)性能的提升

對于尋求前所未有的功率轉(zhuǎn)換性能的工程師來說，Transphorm 的器件組合提供了多種選擇。這些器件采用性能封裝，如果客戶需要插入式替換件，則采用引腳對引腳兼容的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝。現(xiàn)場靜態(tài)演示將展示在現(xiàn)有的游戲筆記本電腦充電器中用 Transphorm FET 替換 TSMC e-mode 器件顯著提高了系統(tǒng)性能。

簡化 GaN 在 3 kW 逆變器系統(tǒng)中的使用

最新發(fā)布的 TDINV3000W050B-KIT?是一款 3.0 kW 直流-交流非隔離全橋逆變器評估板，將在此次展會首次亮相。它的作用是將 Transphorm 的 TP65H050G4WS SuperGaN FET 與 Microchip Technology 的 dsPIC33CK 數(shù)字信號控制器 (DSC) 板配對。DSC 板配備了預(yù)編程固件，有助于理解和促進(jìn)廣泛工業(yè)領(lǐng)域和可再生能源系統(tǒng)中 superGaN 解決方案的開發(fā)。

促進(jìn)汽車行業(yè) GaN 解決方案的多樣化

得益于 Transphorm 的技術(shù)專長，它能夠為以汽車為主體的 GaN 功率轉(zhuǎn)換解決方案樹立關(guān)鍵的行業(yè)基準(zhǔn)。Transphorm 率先推出符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 650 V 器件，也是唯一一家推出符合 175°C 標(biāo)準(zhǔn)的 AEC-Q101 器件的 GaN 器件制造商。此外，在 PCIM 展會上，Transphorm 將發(fā)布一年前首次展示的 1200 V GaN 器件的設(shè)計資源，打造新的里程碑。該器件將完善本就強(qiáng)大的 650 V 解決方案，使各種電動汽車應(yīng)用發(fā)揮更大作用。

演講

在?Bodo 的電力系統(tǒng)會議期間，了解有關(guān) Transphorm 的 GaN 平臺如何影響所有功率級別的電力系統(tǒng)的更多信息。

議題：采用 GaN HEMT 和垂直 GaN 的寬帶隙設(shè)計演講人：Philip Zuk，業(yè)務(wù)開發(fā)與營銷高級副總裁日期：5 月 10 日時間：1:05 p.m. CEST地點：Industry Stage, 7 號廳 480 號展位

一個核心平臺，涵蓋功率范圍

Transphorm 是 GaN 高功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，憑借以下技術(shù)特性脫穎而出：

可制造性：擁有 EPI 設(shè)計、晶圓工藝和 FET 裸片設(shè)計的垂直整合。

可設(shè)計性：提供知名的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝和性能封裝，同時與全球知名的頭部技術(shù)企業(yè)合作，實現(xiàn)更便捷、更快速的系統(tǒng)開發(fā)。

可驅(qū)動性：提供與硅基驅(qū)動方式相同，并可以與現(xiàn)成的控制器和驅(qū)動器配對，同時只需要極少外部電路的器件。

可靠性：從低功率到高功率的各種應(yīng)用情景下總計現(xiàn)場運行超過 1250 億小時，當(dāng)前 FIT 率 < 0.05，處于行業(yè)領(lǐng)先地位。

歡迎來訪

如需安排在展會期間與 Transphorm 人員會面，請訪問?vipin.bothra@transphormusa.com。

關(guān)于 Transphorm

Transphorm 公司是 GaN 革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，為高電壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計和制造高性能、高可靠的 GaN 半導(dǎo)體。Transphorm 擁有最大的功率 GaN 知識產(chǎn)權(quán)組合之一，其自有或許可專利高達(dá) 1000 多項，生產(chǎn)了業(yè)界首款符合 JEDEC 和 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的高壓 GaN 半導(dǎo)體器件。公司憑借垂直整合器件業(yè)務(wù)模式能夠在每個開發(fā)階段進(jìn)行創(chuàng)新：設(shè)計、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm 的創(chuàng)新使電力電子技術(shù)超越了硅基的限制，效率提高到 99% 以上，功率密度提高了 50%，系統(tǒng)成本降低了 20%。Transphorm 的總部位于加利福尼亞州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設(shè)有制造工廠。如需更多信息，請訪問?www.transphormusa.com。歡迎關(guān)注我們的 Twitter?@transphormusa和微信公眾號 @Transphorm_GaN。

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