東芝最新款分立IGBT將大幅提高空調和工業設備的效率
2023年3月9日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。該產品于今日開始支持批量出貨。
功率半導體器件經過業界驗證,對于節能工作意義重大,其中包括助力實現碳中和目標。由于在高功率的工業設備和家用電器中,例如變頻器在空調中的應用越來越普遍,以及工業設備的大型電源需要降低功耗,因此對高效率開關器件的需求也在增長。這催生了對于PFC電路中低損耗開關器件和更高開關頻率的需求。
(資料圖片)
東芝在其新款IGBT中引入了最新的工藝。優化的溝槽結構確保了行業領先[2]的0.35mJ(典型值)[3]的低開關損耗(關斷損耗),與東芝當前產品GT50JR22相比降低了大約42%[4]。此外,新款IGBT還包含一個內置的二極管,其正向電壓為1.2V(典型值)[5],比GT50JR22降低了大約43%[5]。這些改進有助于顯著提高設備效率。
對于使用東芝當前產品GT50JR22的空調PFC電路,其工作頻率低于40kHz[6]。而GT30J65MRB是東芝首款用于60kHz[6]以下PFC的IGBT,其可通過降低開關損耗(關斷損耗)來確保更高的工作頻率。
東芝將繼續擴大產品線,以充分適應市場趨勢,并不斷提高設備效率。
圖1 關斷損耗Eoff
圖2 效率與殼溫
應用:
-???? 家用電器(空調等)
-???? 工業設備(工廠自動化設備、多功能打印機等)
特性:
-??? 行業領先[2]的低開關損耗(關斷損耗):由最新工藝實現的Eoff=0.35mJ[3](典型值)
-??? 采用反向導通(RC)結構的內置續流二極管(FWD)
-??? 快速開關時間(下降時間):tf=40ns(典型值)(TC=25℃、IC=15A、RG=56Ω)
-??? 低二極管正向電壓:VF=1.2V(典型值)(TC=25℃、IF=15A、VGE=0V)
主要規格:
(除非另有說明,Ta=25℃)
器件型號 | GT30J65MRB | ||
封裝 | TO-3P(N) | ||
絕對最大 額定值 | 集電極-發射極電壓VCES(V) | 650 | |
集電極電流(DC)IC(A) | TC=25℃ | 60 | |
TC=100℃ | 30 | ||
結溫Tj(℃) | 175 | ||
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)典型值(V) | IC=30A、VGE=15V、TC=25℃ | 1.40 | |
開關時間(下降時間)tf典型值(ns) | 電感負載、 VCE=400V、IC=15A、 VGE=15V、RG=56Ω、TC=25℃ | 40 | |
開關損耗(關斷損耗) Eoff典型值(mJ) | 電感負載、 VCE=400V、IC=15A、 VGE=15V、RG=56Ω、TC=175℃ | 0.35 | |
二極管正向電壓VF典型值(V) | IF=15A、VGE=0V、TC=25℃ | 1.20 | |
結殼熱阻Rth(j-c)最大值(℃/W) | 0.75 | ||
庫存查詢與購買 | 在線購買 |
注:
[1] 功率因數校正(PFC)電路:該電路可減小電壓和電流之間的相位差,使功率因數接近于1,以抑制開關電源中產生的諧波分量。
[2] 根據東芝截至2023年3月的調研。
[3] 測試條件:電感負載、VCE=400V、IC=15A、VGE=15V、RG=56Ω、TC=175℃
[4] 截至2023年3月,東芝測量值(測試條件:VCC=400V、IC=15A、VGG=+15V/0、RG=56Ω、TC=175℃)。
[5] 測試條件:IF=15A、VGE=0V、TC=25℃
[6] 截至2023年3月,由東芝使用其PFC評估板測試得到的測量值。
如需了解新產品的更多信息,請訪問以下網址:
GT30J65MRB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.GT30J65MRB.html
如需了解相關東芝IGBT的更多信息,請訪問以下網址:
IGBT
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/igbts-iegts/igbts.html
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