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東芝最新款分立IGBT將大幅提高空調和工業設備的效率

202339——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。該產品于今日開始支持批量出貨。

功率半導體器件經過業界驗證,對于節能工作意義重大,其中包括助力實現碳中和目標。由于在高功率的工業設備和家用電器中,例如變頻器在空調中的應用越來越普遍,以及工業設備的大型電源需要降低功耗,因此對高效率開關器件的需求也在增長。這催生了對于PFC電路中低損耗開關器件和更高開關頻率的需求。


(資料圖片)

東芝在其新款IGBT中引入了最新的工藝。優化的溝槽結構確保了行業領先[2]的0.35mJ(典型值)[3]的低開關損耗(關斷損耗),與東芝當前產品GT50JR22相比降低了大約42%[4]。此外,新款IGBT還包含一個內置的二極管,其正向電壓為1.2V(典型值)[5],比GT50JR22降低了大約43%[5]。這些改進有助于顯著提高設備效率。

對于使用東芝當前產品GT50JR22的空調PFC電路,其工作頻率低于40kHz[6]。而GT30J65MRB是東芝首款用于60kHz[6]以下PFC的IGBT,其可通過降低開關損耗(關斷損耗)來確保更高的工作頻率。

東芝將繼續擴大產品線,以充分適應市場趨勢,并不斷提高設備效率。

圖1 關斷損耗Eoff

圖2 效率與殼溫

應用:

-???? 家用電器(空調等)

-???? 工業設備(工廠自動化設備、多功能打印機等)

特性:

-??? 行業領先[2]的低開關損耗(關斷損耗):由最新工藝實現的Eoff=0.35mJ[3](典型值)

-??? 采用反向導通(RC)結構的內置續流二極管(FWD)

-??? 快速開關時間(下降時間):tf=40ns(典型值)(TC=25℃、IC=15A、RG=56Ω)

-??? 低二極管正向電壓:VF=1.2V(典型值)(TC=25℃、IF=15A、VGE=0V)

主要規格:

(除非另有說明,Ta=25℃)

器件型號

GT30J65MRB

封裝

TO-3P(N)

絕對最大

額定值

集電極-發射極電壓VCES(V)

650

集電極電流(DC)IC(A)

TC=25℃

60

TC=100℃

30

結溫Tj(℃)

175

集電極-發射極飽和電壓

VCE(sat)典型值(V)

IC=30A、VGE=15V、TC=25℃

1.40

開關時間(下降時間)tf典型值(ns)

電感負載、

VCE=400V、IC=15A、

VGE=15V、RG=56Ω、TC=25℃

40

開關損耗(關斷損耗)

Eoff典型值(mJ)

電感負載、

VCE=400V、IC=15A、

VGE=15V、RG=56Ω、TC=175℃

0.35

二極管正向電壓VF典型值(V)

IF=15A、VGE=0V、TC=25℃

1.20

結殼熱阻Rth(j-c)最大值(℃/W)

0.75

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注:

[1] 功率因數校正(PFC)電路:該電路可減小電壓和電流之間的相位差,使功率因數接近于1,以抑制開關電源中產生的諧波分量。

[2] 根據東芝截至2023年3月的調研。

[3] 測試條件:電感負載、VCE=400V、IC=15A、VGE=15V、RG=56Ω、TC=175℃

[4] 截至2023年3月,東芝測量值(測試條件:VCC=400V、IC=15A、VGG=+15V/0、RG=56Ω、TC=175℃)。

[5] 測試條件:IF=15A、VGE=0V、TC=25℃

[6] 截至2023年3月,由東芝使用其PFC評估板測試得到的測量值。

如需了解新產品的更多信息,請訪問以下網址:

GT30J65MRB

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.GT30J65MRB.html

如需了解相關東芝IGBT的更多信息,請訪問以下網址:

IGBT

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/igbts-iegts/igbts.html

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GT30J65MRB

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