近十年財險業務快速發展 財產保險業風險保障水平不提升
2022-12-12 17:05:55
(資料圖片)
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和東芝株式會社(Toshiba Corporation)(統稱“東芝”)已經開發了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD),以實現低導通電阻和高可靠性。東芝已經證實,與目前的SiC MOSFET相比,這種設計能夠在不影響可靠性的前提下,將導通電阻[1]?(RonA)降低約20%。[2]
東芝:新開發的方格狀SBD嵌入式SiC MOSFET的MOSFET示意圖(圖示:美國商業資訊)
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